8月13日，三星電子宣布，公司的3D IC封裝技術(shù)eXtended-Cube（X-Cube）已通過(guò)測(cè)試，可立即提供給當(dāng)今最先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)。

      利用三星的硅直通（TSV）技術(shù)，X-Cube實(shí)現(xiàn)了速度和功率效率的巨大飛躍，有助于滿(mǎn)足下一代應(yīng)用（包括5G，人工智能，高性能計(jì)算以及移動(dòng)和科創(chuàng)貸設(shè)備應(yīng)用）的嚴(yán)格性能要求。

      三星電子晶圓代工市場(chǎng)戰(zhàn)略高級(jí)副總裁Moonsoo Kang表示：“三星的新型3D集成技術(shù)即使在最先進(jìn)的EUV工藝節(jié)點(diǎn)也可確?？煽康腡SV互連?！?“我們致力于帶來(lái)更多的3D IC創(chuàng)新，可以突破半導(dǎo)體的界限?！?/p>

      借助三星的X-Cube，芯片設(shè)計(jì)人員可以享受更大的靈活性來(lái)構(gòu)建最適合其獨(dú)特需求的定制解決方案。三星在 7nm制程的測(cè)試過(guò)程中，成功利用 TSV 技術(shù)將SRAM 堆疊在邏輯芯片頂部，從而釋放了空間以將更多的內(nèi)存封裝到更小的占位空間中。通過(guò)3D集成，超薄封裝設(shè)計(jì)顯著縮短了芯片之間的信號(hào)路徑，從而最大程度地提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和能效?？蛻?hù)還可以將內(nèi)存帶寬和密度擴(kuò)展到所需的規(guī)格。

      三星X-Cube經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證的設(shè)計(jì)方法和流程現(xiàn)已可用于包括7nm和5nm在內(nèi)的高級(jí)節(jié)點(diǎn)。在初始設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)上，三星計(jì)劃繼續(xù)與全球無(wú)晶圓廠客戶(hù)合作，以促進(jìn)3D IC解決方案在下一代高性能應(yīng)用中的部署。

（來(lái)源：電子信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)）